半導体

【半導体の基礎】熱処理装置の要点メモ

今日は半導体の熱処理装置の要点をまとめます。

熱処理装置の種類

ファーネス

  • 特徴:バッチ式(一度に多数のウェハをまとめて処理)、温度の上げ下げに時間がかかる。現在主流の熱処理装置。
  • 仕組み:ヒーターで加熱。

RTP(Rapid Thermal Processor)

  • 特徴:短時間で加熱できる。シングルウェハ式(=枚葉式、ウェハを1枚ずつ処理)
  • 仕組み:ランプで急速に加熱。
  • デメリット:ウェハの表面温度が不均一になりやすく、スリップ欠陥が発生しやすい。

熱処理の主な目的

ウェハの表面に酸化膜を形成する。

熱処理の課題

低温化、時間短縮。

熱処理の順序と温度

一度処理したものが、次の加熱処理により変動することを防ぐため、温度の高い熱処理→低い熱処理の順に行う。

アニールとは

本来の意味は焼き鈍し(やきなまし)だが、半導体においては、特性安定化、物性安定化を目的とした加熱プロセスを一括して「アニール」と呼んでいる。

終わりに

プロセスの勉強が終わって、今月から装置の勉強に入りました。まだまだ先は長いですが、今後も少しずつ地道に進めていきます。

随時学習内容をブログでも記録していきたいと思います。

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